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सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य

उत्पत्ति के प्लेस चीन
ब्रांड नाम PRM
प्रमाणन ISO9001
मॉडल संख्या रिवाज़
न्यूनतम आदेश मात्रा 1 किलोग्राम
मूल्य $50~150/kg
पैकेजिंग विवरण प्लाईवुड मामले
प्रसव के समय 7 ~ 10 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें टी/टी
आपूर्ति की क्षमता 2000 किग्रा / माह

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उत्पाद विवरण
नाम सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी मोटाई टंगस्टन-मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य सामग्री डब्ल्यूएमओ मिश्र धातु
आकार प्लेट लक्ष्य मोटाई 3 ~ 10 मिमी
व्यास 50 ~ 200 मिमी सतह पॉलिश
डब्ल्यू सामग्री 30% (wt%) राज्य annealed
प्रमुखता देना

टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य

,

3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम लक्ष्य

,

टंगस्टन मोलिब्डेनम लक्ष्य 10 मिमी

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उत्पाद विवरण

सौर बैटरी और एलईडी अर्धचालकों के लिए 3 मिमी मोटाई वोल्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य

 
1सौर बैटरी के लिए वोल्फ्रेम मोलिब्डेनम मिश्र धातु टार्जर का विवरण:
 
वोल्फ्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य एक उच्च शुद्धता, उच्च शक्ति लक्ष्य सामग्री है, मुख्य रूप से वोल्फ्फ्रेम और मोलिब्डेनम से बना है। इसमें उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापमान स्थिरता,उच्च घनत्व और अच्छे यांत्रिक गुणउच्च गुणवत्ता वाली पतली फिल्म सामग्री और इलेक्ट्रॉनिक घटकों की तैयारी के लिए यह एक आदर्श सामग्री है।
 
2. आकारटंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु सौर बैटरी के लिए टार्जर सेः
 
वोलफ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य आमतौर पर गर्म आइसोस्टैटिक प्रेसिंग या ठंडे आइसोस्टैटिक प्रेसिंग द्वारा बनाया जाता है, और इसका आकार ग्राहक की जरूरतों के अनुसार अनुकूलित किया जा सकता है।
 
सामान्य आकारः
व्यास 50 मिमी,
मोटाई 3 मिमी आदि
 
विभिन्न विनिर्देशों के बोर्ड लक्ष्य को विभिन्न अनुप्रयोग आवश्यकताओं के अनुसार भी अनुकूलित किया जा सकता है।

 

सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य 0सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य 1
 
3.सीहेमिकलकासौर बैटरी के लिए अनस्टेन मोलिब्डेनम मिश्र धातु टार्जर:

 

मात्रात्मक विश्लेषण
तत्व W मो फे हाँ सीए एमजी पी सी अल
एकाग्रता ((%) 30 70 0.001 0.002 0.0006 0.0006 0.002 0.003 0.003 0.004
 

 
वोल्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य का घनत्व आम तौर पर 9.5 g/cm3 से ऊपर होता है, अशुद्धियों की मात्रा 0.1% से कम होती है और यह 2000°C तक उच्च तापमान वातावरण का सामना कर सकता है।,वोल्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य भी अच्छा संक्षारण प्रतिरोध है और ऑक्सीकरण, कम करने और निष्क्रिय वातावरण में लंबे समय के लिए स्थिर रूप से इस्तेमाल किया जा सकता है।
 
4आवेदनकासौर बैटरी के लिए अनस्टेन मोलिब्डेनम मिश्र धातु टार्जर:
 
उपयोग के संदर्भ में, वोल्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य का व्यापक रूप से अर्धचालकों, कोटिंग्स, सौर कोशिकाओं, एलईडी और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किया जाता है।यह उच्च गुणवत्ता वाले तैयार करने के लिए एक लक्ष्य के रूप में प्रयोग किया जाता है, उच्च दक्षता वाली पतली फिल्म सामग्री; कोटिंग के क्षेत्र में, इसका उपयोग उच्च कठोरता और उच्च पहनने के प्रतिरोध के साथ सतह कोटिंग तैयार करने के लिए किया जा सकता है; सौर कोशिकाओं के क्षेत्र में,इसका उपयोग उच्च दक्षता तैयार करने के लिए किया जा सकता है, उच्च स्थिरता वाले सौर सेल; एलईडी क्षेत्र में, इसका उपयोग उच्च चमक, उच्च रंग-शुद्धता वाली एलईडी सामग्री तैयार करने के लिए किया जा सकता है।
 
निष्कर्ष के रूप में, वोल्फ्रेम-मोलिब्डेनम मिश्र धातु प्लेट लक्ष्य व्यापक अनुप्रयोग संभावनाओं के साथ एक महत्वपूर्ण सामग्री है।इसके उपयोग और विनिर्देशों का विस्तार और अनुकूलन किया जाएगा।, विभिन्न उद्योगों के लिए विकास के अधिक अवसर ला रहा है।
 
सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य 2सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य 3

 


 

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सौर बैटरी और एलईडी सेमीकंडक्टर्स के लिए 3 मिमी टंगस्टन मोलिब्डेनम मिश्र धातु लक्ष्य 4

 

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