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फोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए उच्च पिघलने बिंदु व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट
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xउत्पाद विवरण
| नाम | फोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए उच्च पिघलने बिंदु 3420 ℃ व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट | सामग्री | शुद्ध टंगस्टन |
|---|---|---|---|
| पवित्रता | > 99.95% | सतह | काले, सफेद, इलेक्ट्रोलाइटिक चमकाने |
| व्यास | 0.265 मिमी, 0.3 मिमी, 0.15 मिमी, 0.2 मिमी आदि। | गलनांक | 3420 ℃ |
| घनत्व | 19.3 ग्राम/सेमी3 | आवेदन | फोटोइलेक्ट्रिक उद्योग |
| हाई लाइट | उच्च पिघलने बिंदु टंगस्टन फिलामेंट,फोटोइलेक्ट्रिक उद्योग टंगस्टन वायर फिलामेंट,शुद्ध टंगस्टन फिलामेंट वायर |
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उत्पाद विवरण
फोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए उच्च गलनांक 3420 ℃ व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट
1. का परिचयफोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट:
टंगस्टन के उच्च गलनांक, उच्च कठोरता और गैर-संक्षारण विशेषताओं के कारण, फोटोइलेक्ट्रिक टंगस्टन तार का उपयोग मुख्य रूप से ऑप्टिकल संचार, लेजर, फोटोइलेक्ट्रिक डिस्प्ले, ऑप्टिक्स, सौर फोटोवोल्टिक, इलेक्ट्रॉनिक इंजीनियरिंग, लॉजिस्टिक्स नेटवर्क और अन्य क्षेत्रों में किया जाता है।टंगस्टन तार खींचने के लिए आमतौर पर कई तार खींचने वाले डाई का उपयोग किया जाता है।मुख्य उद्देश्य फिलामेंट्स और हाई-स्पीड कटिंग मिश्र धातु इस्पात का निर्माण करना है, और इसका उपयोग ऑप्टिकल उपकरणों, रासायनिक उपकरणों आदि में भी किया जाता है।
2. भौतिक पैरामीटरकाफोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट:
| घनत्व | गलनांक | पवित्रता | प्रतिरोधकता |
| 19.3 ग्राम/सेमी3 | 3420 ℃ | 99.95% | 5.3*10^-8 |
3.विशेषताकाफोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट:
उच्च गलनांक,
उच्च प्रतिरोधकता,
अच्छी ताकत,
कम वाष्प दबाव
टंगस्टन तार की प्रतिरोधकता 5.3*10^-8 है।उच्च प्रतिरोधकता, उच्च गलनांक, मजबूत ताकत और कम वाष्प दबाव ये सभी टंगस्टन की विशेषताएं हैं।सभी शुद्ध धातुओं में से, यह सबसे अच्छा तापदीप्त तंतु उत्पन्न करने वाली धातु है।फिर भी, इसकी कठोरता और नाजुकता के कारण टंगस्टन का प्रसंस्करण चुनौतीपूर्ण है।जब करंट टंगस्टन तार से होकर गुजरता है और उसे एक निश्चित तापमान तक गर्म किया जाता है, तो टंगस्टन तार का प्रतिरोध मान एक निश्चित मान तक बढ़ जाता है (तापमान बढ़ने के साथ सामान्य धातु के तार का प्रतिरोध मान बढ़ जाता है)।
4. आकारकाफोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट:
| आइटम नाम | व्यास(मिमी) | सतह |
| फोटोइलेक्ट्रिक टंगस्टन तार |
0.01, 0.02, 0.03, 0.035, 0.04, 0.045, 0.05, 0.06, 0.065, 0.08, 0.1, 0.15, 0.2, 0.265 0.3, 0.5, 0.6, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0
हम ग्राहक की आवश्यकता के अनुसार प्रक्रिया कर सकते हैं। |
इलेक्ट्रोलाइटिक पॉलिशिंग श्याम सफेद |
5. आवेदनकाफोटोइलेक्ट्रिक उद्योग के लिए व्यास 0.265 मिमी टंगस्टन फिलामेंट:
फोटोइलेक्ट्रिक टंगस्टन तार की प्रतिरोधकता 5.3*10 है^-8.उच्च प्रतिरोधकता, उच्च गलनांक, मजबूत ताकत और कम वाष्प दबाव ये सभी टंगस्टन की विशेषताएं हैं।यह सभी शुद्ध धातुओं के बीच गरमागरम लैंप टंगस्टन तार बनाने के लिए सबसे अच्छी सामग्री है।अमोनियम पैराटुंगस्टेट (एपीटी) का उपयोग मुख्य रूप से फोटोइलेक्ट्रिक टंगस्टन तार के उत्पादन में कच्चे घटक के रूप में किया जाता है। सामान्य प्रक्रिया में अमोनियम पैराटुंगस्टेट को लगभग 500 डिग्री सेल्सियस पर हवा में टंगस्टन ट्राइऑक्साइड में भूनना है, या इसे हाइड्रोजन में नीले टंगस्टन ऑक्साइड में थोड़ा कम करना है। लगभग 450°C.जब टंगस्टन तार का व्यास माइक्रोन स्तर तक पहुंच जाता है, तो पारंपरिक कैलीपर से इसके व्यास को सटीक रूप से मापना मुश्किल होता है।इसलिए, अंतरराष्ट्रीय स्तर पर, 0.2 मिमी से कम व्यास वाले टंगस्टन तार का वजन आमतौर पर 200 मिमी तार की कटी हुई लंबाई के वजन से व्यक्त किया जाता है।
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